Apple系列產(chǎn)品電源插頭的氮化

隨著越來(lái)越多精密工件的離子氮化需求量增大，常規(guī)頻率的脈沖電源就顯得有點(diǎn)捉襟見(jiàn)肘，高頻電源便應(yīng)運(yùn)而生，2016年在中南民族大學(xué)幾位教授的研究之下，國(guó)產(chǎn)自主制造的頻率大于50KHz的高頻電源終于問(wèn)世，經(jīng)過(guò)反復(fù)模擬實(shí)驗(yàn)以及現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，技術(shù)已經(jīng)非常成熟。

高頻電源的特點(diǎn)：

1.全逆變式結(jié)構(gòu)，能量損耗低，轉(zhuǎn)換效率高，工作效益高；

2.放電氣體離化率高。這是因?yàn)楦哳l脈沖的toff**時(shí)間較短。電源關(guān)斷后，帶電

粒子的濃度并非立即降到零，而是緩慢下降，還未顯著降低之前，下一個(gè)脈沖

又到來(lái)，這樣使得電子濃度平均值較高。

3．滅弧快。在高頻放電回路上運(yùn)用電磁感應(yīng)原理，快速檢測(cè)到打弧信號(hào)

（幾乎沒(méi)有延遲時(shí)間），并利用高速數(shù)字邏輯器件，立即控制主電流回路的高速

電子開(kāi)關(guān)，可在3-5μs內(nèi)熄滅弧光。

4．空心陰極效應(yīng)抑制效果好?？招年帢O效應(yīng)是電子被限制在狹小區(qū)間內(nèi)來(lái)

回振蕩，新產(chǎn)生的電子比擴(kuò)散離開(kāi)這個(gè)空間或以其他方式消亡的電子數(shù)要多，.后終止在什么值，取決于過(guò)程經(jīng)歷的時(shí)間長(zhǎng)短，高頻脈沖每個(gè)脈寬.大在20μs左右，與低頻相比，效應(yīng)積累高度要低得多。另外，使用高頻電源時(shí)，可以讓爐內(nèi)氣壓值增至較大而使輝光變薄，避開(kāi)空心陰極內(nèi)的輝光重迭，在一定程度上減輕空心陰極效應(yīng)。此時(shí)可能電源工作在極小的占空比，對(duì)于低頻而言，由于“爬坡”過(guò)程的限制，占空比不可能太小。而我們?cè)O(shè)計(jì)的高頻電源可以轉(zhuǎn)換工作模式。對(duì)小孔徑長(zhǎng)管進(jìn)行了內(nèi)孔滲氮實(shí)驗(yàn)，已證明高頻電源的這一優(yōu)勢(shì)。

5.溫度均勻性有提高。因?yàn)槭褂酶哳l脈沖后，氮化處理工藝參數(shù)的調(diào)節(jié)范圍變寬，獨(dú)立可控性好，可以超越低頻時(shí)的極限。進(jìn)行工藝參數(shù)組合，各參數(shù)獨(dú)立可調(diào)，可以改善表面形狀復(fù)雜工件的輝光覆蓋均勻性。

6.滲層氮化物級(jí)別、表面光潔度大大改善。

技術(shù)參數(shù)：

1工作電壓：300—800V連續(xù)可調(diào)；

2平均電流MAX：0—100A連續(xù)可調(diào)；

3.大輸出峰值電流：80A；

4輸出波形：近矩形方波；

5輸出頻率：50000HZ；

6占空比：15-85%連續(xù)可調(diào)；

7滅弧時(shí)間：≤2μs；